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IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理國(guó)內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭

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